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定制 PCB 和电子元件
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记忆力
| 数据表 | 图片 | 型号 | 品牌 | 库存 | 价格/元 | 数量 | 描述 |
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MT25QL128ABA8E12-0SIT | Micron Technology Inc. | 5000 | 0.000000 |
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IC FLASH 128MBIT SPI 24TPBGA |
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AT24C01AY1-10YI-1.8 | Microchip Technology | 5000 | 0.000000 |
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IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8MAP |
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MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B | Micron Technology Inc. | 5000 | 2299.968000 |
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IC FLASH 512GBIT PAR 152LBGA |
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70V3579S6BC8 | Renesas Electronics America Inc | 5000 | 782.856000 |
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IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA |
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NM93C46M8X | onsemi | 5000 | 0.000000 |
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IC EEPROM 1KBIT SPI 1MHZ 8SO |
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DS1330YP-70IND | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | 5000 | 0.000000 |
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IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP |
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GS82582D18GE-375I | GSI Technology Inc. | 5000 | 3045.600000 |
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IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA |
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70T651S12BFGI | Renesas Electronics America Inc | 5000 | 2084.688000 |
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IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA |
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MT25QL256ABA1EW9-0SIT | Micron Technology Inc. | 5000 | 0.000000 |
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IC FLASH 256MBIT SPI 8WPDFN |
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AT24C01AY1-10YI-2.7 | Microchip Technology | 5000 | 0.000000 |
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IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8MAP |
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AT28C256E-15UM/883 | Microchip Technology | 5000 | 2301.696000 |
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IC EEPROM 256KBIT PAR 28CPGA |
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70V3579S6BF8 | Renesas Electronics America Inc | 5000 | 782.856000 |
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IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA |
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NM27C010N120 | onsemi | 5000 | 0.000000 |
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IC EPROM 1MBIT PARALLEL 32DIP |
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DS1330ABP-70IND | Rochester Electronics, LLC | 5000 | 101.592000 |
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IC NVSRAM 256KBIT PAR 34PWRCAP |
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GS82582Q36GE-333I | GSI Technology Inc. | 5000 | 3045.600000 |
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IC SRAM 288MBIT PAR 165FPBGA |
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70T3519S200BC8 | Renesas Electronics America Inc | 5000 | 2089.656000 |
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IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256CABGA |
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MT25QU128ABA1EW9-0SIT | Micron Technology Inc. | 5000 | 0.000000 |
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IC FLASH 128MBIT SPI 8WPDFN |
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AT24C08AY1-10YI-1.8 | Microchip Technology | 5000 | 0.000000 |
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IC EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8MAP |
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AT28C256F-15UM/883 | Microchip Technology | 5000 | 2301.696000 |
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IC EEPROM 256KBIT PAR 28CPGA |
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70V3579S6BC | Renesas Electronics America Inc | 5000 | 782.856000 |
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IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA |
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