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| 数据表 | 图片 | 型号 | 品牌 | 库存 | 价格/元 | 数量 | 描述 |
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BLM8G0710S-30PBY | Ampleon USA Inc. | 5000 | - |
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RF FET LDMOS 65V 35DB SOT12112 |
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AFV121KHR5 | NXP USA Inc. | 5000 | - |
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IC TRANS RF LDMOS |
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MMRF1007HR5 | NXP USA Inc. | 5000 | - |
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FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230 |
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VRF157FLMP | Microsemi Corporation | 5000 | - |
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RF MOSFET N-CHANNEL 50V 4SMD |
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MRF6VP41KHR5 | NXP USA Inc. | 5000 | - |
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FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230 |
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MRF6V14300HR5 | NXP USA Inc. | 5000 | - |
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FET RF 100V 1.4GHZ NI780 |
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MRF6VP121KHR5 | NXP USA Inc. | 5000 | - |
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FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H |
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MRF6VP121KHSR5 | NXP USA Inc. | 5000 | - |
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FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H |
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MRF6VP41KHSR5 | NXP USA Inc. | 5000 | - |
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FET RF 2CH 110V 450MHZ NI1230S |
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2731GN-200M | Microsemi Corporation | 5000 | - |
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FETS RF GAN 150V 2.7-3.1GHZ 55QP |
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MMRF1314GSR5 | NXP USA Inc. | 5000 | - |
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TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V |
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2729GN-270 | Microsemi Corporation | 5000 | - |
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FET RF N-CH 150V 2.9GHZ 55-QP |
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3135GN-170M | Microsemi Corporation | 5000 | - |
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FETS RF GAN 150V 3.1-3.5GHZ 55QP |
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BLU6H0410L-600P,11 | Ampleon USA Inc. | 5000 | - |
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RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A |
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BF5030WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 5000 | - |
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FET RF 8V 800MHZ SOT343 |
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MMRF1007HSR5 | NXP USA Inc. | 5000 | - |
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FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S |
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AFV141KGSR5 | NXP USA Inc. | 5000 | - |
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IC TRANS RF LDMOS |
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ARF1519 | Microsemi Corporation | 5000 | - |
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RF PWR MOSFET 1000V 20A DIE |
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BLS6G2731P-200,117 | Ampleon USA Inc. | 5000 | - |
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RF FET LDMOS 32V SOM038 |
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AFV141KHSR5 | NXP USA Inc. | 5000 | - |
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IC TRANS RF LDMOS |
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